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二极管 Vf/漏电流 · 三极管偏置 · MOS 管/Rds · IGBT 损耗 · 选型推荐 — 全部实时计算

二极管参数计算正向压降 · 漏电流 · 整流选型

正向电流 If (A)

类型

反向电压 Vr (V)

三极管偏置电路共射极静态工作点 · 开关驱动

Vcc (V)

Rc (Ω)

Rb (Ω)

β (hFE)

Vbe (V)

模式

MOS 管参数计算 Rds(on)导通损耗 · 开关损耗 · 散热

Id (A)

Rds(on) (mΩ)

Vds (V)

频率 (kHz)

Qg (nC)

RthJA (°C/W)

环境温度 Ta (°C)

占空比 D

Vgs (V)

推荐 MOS 管参考

型号	Vds(max)	Id(max)	Rds(on)	Qg	封装
IRFZ44N	55V	49A	17.5mΩ	63nC	TO-220
IRF3205	55V	110A	8mΩ	146nC	TO-220
IRFP460	500V	20A	270mΩ	104nC	TO-247
AO3400	30V	5.8A	28mΩ	6nC	SOT-23
NCE3080	80V	210A	3.2mΩ	120nC	TO-263

IGBT 损耗计算导通损耗 · 开关损耗 · 结温估算

Ic (A)

Vce(sat) (V)

Vdc (V)

频率 (kHz)

占空比 D

Eon+Eoff (mJ)

RthJC (°C/W)

外壳温度 Tc (°C)

Tjmax (°C)

推荐 IGBT 参考

型号	Vces	Ic	Vce(sat)	Esw	封装
IRGB4062DPBF	600V	24A	1.65V	0.13mJ	TO-220
IKW40N120T2	1200V	40A	1.7V	2.5mJ	TO-247
IKW75N60T	600V	75A	1.5V	3.7mJ	TO-247

通用选型推荐根据参数推荐半导体器件

工作电压 (V)

工作电流 (A)

频率 (kHz)

功耗 (W)

拓扑

散热要求